2N7002A-7 vs 2N7002V

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002A-7 và 2N7002V cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002A-7

Diode Tập hợp

Lifecycle
Active
Stock
1569 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

2N7002V

Công ty bán dẫn Fairchild

Lifecycle
Active
Stock
4358 PCS
Package
SOT-666
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002A-7 2N7002V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 180mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 23 pF @ 25 V 50pF @ 25V
Power - Max - 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V, 10V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta) -