70V659S12DRGI vs 70V657S10DR So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa 70V659S12DRGI và 70V657S10DR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
70V659S12DRGI

+BOM

1522 PCS | Công ty Renesas Electronics America Inc
70V657S10DR

+BOM

2121 PCS | Công ty Renesas Electronics America Inc
Gói PQFP-208 BFQFP-208
Mô tả IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Supplier - Renesas Electronics America Inc
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format SRAM SRAM
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size 4.5Mb (128K x 36) 1.125Mb (32K x 36)
Memory Interface Parallel Parallel
Write Cycle Time - Word Page 12ns 10ns
Access Time 12 ns 10 ns
Voltage - Supply 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : 70V659S12DRGI 70V657S10DR

+BOM RFQ