AUIRS2181STR vs AUIRS20161S

Bảng so sánh chi tiết giữa AUIRS2181STR và AUIRS20161S cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
AUIRS2181STR

+BOM

5680 PCS | Công nghệ Infineon
AUIRS20161S

+BOM

7589 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 500mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Mô hình so sánh : AUIRS2181STR AUIRS20161S

+BOM RFQ