BAS21AHT1G vs BAS21UE6359HTMA1

Bảng so sánh chi tiết giữa BAS21AHT1G và BAS21UE6359HTMA1 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAS21AHT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 13599 PCS
Package: SOD-323
Series: Diodes - Rectifiers - Single

+BOM RFQ

Part B

BAS21UE6359HTMA1

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 2005 PCS
Package: SOT-457
Series: Diodes - Rectifiers - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BAS21AHT1G	BAS21UE6359HTMA1
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	-	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Last Time Buy
Diode Configuration	-	3 Independent
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	250 V	200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode)	-	125mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 200 mA	1 V @ 100 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns	50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 nA @ 200 V	100 nA @ 200 V
Operating Temperature - Junction	-	150°C (Max)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Average Rectified(Io)	200mA (DC)	-
Capacitance @ Vr F	5pF @ 0V, 1MHz	-

Compare RFQ