BC847CDW1T1G vs BC847PNHE3-TP

Bảng so sánh chi tiết giữa BC847CDW1T1G và BC847PNHE3-TP cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

BC847CDW1T1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
11885 PCS
Package
SC-88
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
+BOM RFQ
Part B

BC847PNHE3-TP

Công ty Thương mại Micro

Lifecycle
Active
Stock
7701 PCS
Package
SC-88
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC847CDW1T1G BC847PNHE3-TP
Supplier onsemi Micro Commercial Co
Part Status Active Active
Transistor Type 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V, 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW 200mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - Automotive, AEC-Q101
Compare RFQ