BC856A-7-F vs BC856-QR

Bảng so sánh chi tiết giữa BC856A-7-F và BC856-QR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC856A-7-F

Diode Tập hợp

Lifecycle
Active
Stock
4672 PCS
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single Bipolar Transistors
+BOM RFQ
Part B

BC856-QR

Nexperia Hoa Kỳ Inc.

Lifecycle
Active
Stock
2528 PCS
Package
TO-236-3
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC856A-7-F BC856-QR
Part Status Active Active
Base Product Number BC856 -
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW 250 mW
Frequency - Transition 200MHz 100MHz
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Supplier - Nexperia USA Inc.
Series - Automotive, AEC-Q101
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 65 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 125 @ 2mA, 5V
Compare RFQ