BC857BDW1T1G vs BC857S

Bảng so sánh chi tiết giữa BC857BDW1T1G và BC857S cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BDW1T1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6653 PCS
Package
SC-70
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Part B

BC857S

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7134 PCS
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC857BDW1T1G BC857S
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Series - Bulk
Transistor Type 2 PNP (Dual) Active
Part Status Active -
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V -
Power - Max 380mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -