BCP56T1G vs BCP56-10115

Bảng so sánh chi tiết giữa BCP56T1G và BCP56-10115 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BCP56T1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
1856 PCS
Package
SOT-223-4
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
+BOM RFQ
Part B

BCP56-10115

NXP Hoa Kỳ Inc.

Lifecycle
Active
Stock
8707 PCS
Package
SOT-223-3
Series
Specialized ICs
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BCP56T1G BCP56-10115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 1 A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 150mA, 2V -
Power - Max 1.5 W -
Frequency - Transition 130MHz -
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare RFQ