BYG10Y-E3/TR
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4402 PCS
- Package
- DO-214AC
- Series
- Diodes - Rectifiers - Single
Bảng so sánh chi tiết giữa BYG10Y-E3/TR và BYG10D cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BYG10Y-E3/TR | BYG10D |
|---|---|---|
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DComponents |
| Part Status | Active | Active |
| Diode Type | Avalanche | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V | 200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1.5A | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs | 1.5 µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1600 V | 5 µA @ 200 V |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |