C3M0015065K vs C3M0065100K

Bảng so sánh chi tiết giữa C3M0015065K và C3M0065100K cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0015065K

Wolfspeed, Công ty

Lifecycle: Active
Stock: 3537 PCS
Package: TO-247-4
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

C3M0065100K

Wolfspeed, Công ty

Lifecycle: Active
Stock: 1451 PCS
Package: TO-247-4
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	C3M0015065K	C3M0065100K
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	120A (Tc)	35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	21mOhm @ 55.8A, 15V	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.6V @ 15.5mA	3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	188 nC @ 15 V	35 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+15V, -4V	+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	5011 pF @ 400 V	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	416W (Tc)	113.5W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ