CSD16570Q5B vs CSD16321Q5

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD16570Q5B và CSD16321Q5 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16570Q5B

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 2929 PCS
Package: TDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

CSD16321Q5

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 7266 PCS
Package: TDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD16570Q5B	CSD16321Q5
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.59mOhm @ 50A, 10V	2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.9V @ 250µA	1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	250 nC @ 10 V	19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	14000 pF @ 12 V	3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 195W (Tc)	3.1W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ