CSD17556Q5B vs CSD17308Q3

Bảng so sánh chi tiết giữa CSD17556Q5B và CSD17308Q3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17556Q5B

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 5685 PCS
Package: TDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

CSD17308Q3

Texas Dụng cụ

Lifecycle: Active
Stock: 5348 PCS
Package: TDFN-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD17556Q5B	CSD17308Q3
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	34A (Ta), 100A (Tc)	14A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.4mOhm @ 40A, 10V	10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.65V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	39 nC @ 4.5 V	5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	7020 pF @ 15 V	700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 191W (Tc)	2.7W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ