DGD2190MS8-13 vs DGD2103S8-13 So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa DGD2190MS8-13 và DGD2103S8-13 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
DGD2190MS8-13

+BOM

2801 PCS | Diode Tập hợp
DGD2103S8-13

+BOM

3649 PCS | Diode Tập hợp
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : DGD2190MS8-13 DGD2103S8-13

+BOM RFQ