FDD86102 vs FDD86110

Bảng so sánh chi tiết giữa FDD86110 và FDD86102 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
FDD86110

+BOM

2650 PCS | onsemi
FDD86102

+BOM

2389 PCS | onsemi
Gói TO-252-3 TO-252-3
Mô tả MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12.5A (Ta), 50A (Tc) 8A (Ta), 36A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 10.2mOhm @ 12.5A, 10V 24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 35 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2265 pF @ 50 V 1035 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta), 127W (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : FDD86110 FDD86102

+BOM RFQ