FDG6301N vs FDG6313N
Bảng so sánh chi tiết giữa FDG6301N và FDG6313N cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
Mô tả
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
-
Active
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6301
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220mA
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
-
Power - Max
300mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
