FGA40T65SHD vs FGA40N65SMD

Bảng so sánh chi tiết giữa FGA40T65SHD và FGA40N65SMD cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGA40T65SHD

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5595 PCS
Package: TO-3PN
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Part B

FGA40N65SMD

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4225 PCS
Package: TO-3PN
Series: Transistors - IGBTs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FGA40T65SHD	FGA40N65SMD
Part Status	Active	Active
IGBT Type	Trench Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	650 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.1V @ 15V, 40A	2.5V @ 15V, 40A
Power - Max	268 W	349 W
Switching Energy	1.01mJ (on), 297µJ (off)	820µJ (on), 260µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	72.2 nC	119 nC
Td(on / off) @ 25°C	19.2ns/65.6ns	12ns/92ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	31.8 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ