FGH40N60SFDTU vs FGH40N6S2D

Bảng so sánh chi tiết giữa FGH40N60SFDTU và FGH40N6S2D cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SFDTU

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3269 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

FGH40N6S2D

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
9943 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGH40N60SFDTU FGH40N6S2D
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.9V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 290 W 290 W
Switching Energy 1.13mJ (on), 310µJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 120 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 25ns/115ns 8ns/35ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 45 ns 48 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
Compare RFQ