FGH60N60SMD vs FGH60N6S2

Bảng so sánh chi tiết giữa FGH60N60SMD và FGH60N6S2 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH60N60SMD

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7549 PCS
Package
TO-247
Series
Transistors - IGBTs - Single
Part B

FGH60N6S2

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
9926 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGH60N60SMD FGH60N6S2
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 120 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 320 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 60A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 600 W 625 W
Switching Energy 1.26mJ (on), 450µJ (off) 400µJ (on), 310µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 189 nC 140 nC
Td(on / off) @ 25°C 18ns/104ns 18ns/70ns
Test Condition 400V, 60A, 3Ohm, 15V 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 39 ns -