G5S12002C
Công ty TNHH Công nghệ năng lượng toàn cầu
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2987 PCS
- Package
- TO-252-3
- Series
- Diodes - Rectifiers - Single
Bảng so sánh chi tiết giữa G5S12002C và G5S12008A cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | G5S12002C | G5S12008A |
|---|---|---|
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd | Global Power Technology Co. Ltd |
| Part Status | Active | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8.8A (DC) | 24.8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 170pF @ 0V, 1MHz | 550pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount | Through Hole |