GD25LQ64ESIGR vs GD25LD40CTIG

Bảng so sánh chi tiết giữa GD25LQ64ESIGR và GD25LD40CTIG cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25LQ64ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
3762 PCS
Package
SOIC-8
Series
Memory
+BOM RFQ
Part B

GD25LD40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
4394 PCS
Package
SOIC-8
Series
Memory
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification GD25LQ64ESIGR GD25LD40CTIG
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 4Mb (512K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 133 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 97µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
Compare RFQ