IR2110STRPBF vs IR2111STR

Bảng so sánh chi tiết giữa IR2110STRPBF và IR2111STR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IR2110STRPBF

+BOM

1823 PCS | Công nghệ Infineon
IR2111STR

+BOM

8416 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC 16W SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IR2110STRPBF IR2111STR

+BOM RFQ