IR2112S vs IR2112SPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IR2112S và IR2112SPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2112S

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 4810 PCS
Series: Power Management (PMIC) - Gate Drivers

+BOM RFQ

Part B

IR2112SPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5879 PCS
Package: SOIC-16
Series: PMIC - Gate Drivers

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IR2112S	IR2112SPBF
Part Status	Obsolete	Active
Base Product Number	IR2112	-
Digi Key Programmable	Not Verified	-
Driven Configuration	High-Side, Low-Side	High-Side or Low-Side
Channel Type	Independent	Independent
Number of Drivers	2	2
Gate Type	IGBT, MOSFET (N-Channel)	IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply	10V ~ 20V	10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH	6V, 9.5V	-
Current - Peak Output (Source, Sink)	250mA, 500mA	-
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)	600 V	-
Rise / Fall Time (Typ)	80ns, 40ns	-
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Tube	-
Logic Voltage - VILVIH	-	6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)	-	250mA, 500mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	-	600 V
Rise / Fall Time(Typ)	-	80ns, 40ns

Compare RFQ