IR2112STRPBF vs IR2110S So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IR2110S và IR2112STRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IR2110S

+BOM

5478 PCS | Công nghệ Infineon
IR2112STRPBF

+BOM

3055 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC 16W
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2110 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
Mô hình so sánh : IR2110S IR2112STRPBF

+BOM RFQ