IR2302STRPBF vs IR2301STR

Bảng so sánh chi tiết giữa IR2302STRPBF và IR2301STR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IR2302STRPBF

+BOM

1579 PCS | Công nghệ Infineon
IR2301STR

+BOM

2172 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC 8N SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 5V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 130ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IR2302STRPBF IR2301STR

+BOM RFQ