IRF1404PBF vs IRF1407PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF1407PBF và IRF1404PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF1407PBF

+BOM

3570 PCS | Công nghệ Infineon
IRF1404PBF

+BOM

2816 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220-3 TO220
Mô tả MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Not For New Designs Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 75 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130A (Tc) 202A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.8mOhm @ 78A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 250 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5600 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 330W (Tc) 333W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRF1407PBF IRF1404PBF

+BOM RFQ