IRF7307TRPBF vs IRF7309PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7307TRPBF và IRF7309PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7307TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3667 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

IRF7309PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6881 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7307TRPBF	IRF7309PBF
Supplier	-	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Discontinued at Digi-Key
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.2A, 4.3A	4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.6A, 4.5V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V	25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 15V	520pF @ 15V
Power - Max	2W	1.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ