IRF7495TRPBF vs IRF7404TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7495TRPBF và IRF7404TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7495TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5805 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRF7404TRPBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle: Active
Stock: 3229 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7495TRPBF	IRF7404TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.3A (Ta)	6.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	2.7V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	22mOhm @ 4.4A, 10V	40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V	50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1530 pF @ 25 V	1500 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ