IRF7473TRPBF vs IRF7410TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7473TRPBF và IRF7410TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7473TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 3489 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRF7410TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 2629 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7473TRPBF	IRF7410TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	12 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.9A (Ta)	16A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 4.1A, 10V	7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	5.5V @ 250µA	900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V	91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3180 pF @ 25 V	8676 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ