IRF7406TRPBF vs IRF7424TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7406TRPBF và IRF7424TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7406TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 1538 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRF7424TRPBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle: Active
Stock: 1921 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7406TRPBF	IRF7424TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.8A (Ta)	11A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	45mOhm @ 2.8A, 10V	13.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1100 pF @ 25 V	4030 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ