IRF9530PBF vs IRF9530NS

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9530NS và IRF9530PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF9530NS

+BOM

5563 PCS | Công nghệ Infineon
IRF9530PBF

+BOM

5699 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
Gói TO-263 TO-220-3
Mô tả MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Series HEXFET® -
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc) 12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 58 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 88W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Mô hình so sánh : IRF9530NS IRF9530PBF

+BOM RFQ