IRFB3306PBF vs IRFB38N20DPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB38N20DPBF và IRFB3306PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB38N20DPBF

+BOM

6086 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB3306PBF

+BOM

3253 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220 TO-220-3
Mô tả IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 43A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 54mOhm @ 26A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 91 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2900 pF @ 25 V 4520 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 230W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB38N20DPBF IRFB3306PBF

+BOM RFQ