IRFB3607PBF vs IRFB38N20DPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB3607PBF và IRFB38N20DPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3607PBF

Máy chỉnh sửa quốc tế

Lifecycle
Active
Stock
3175 PCS
Package
TO-220
Series
Specialized ICs
+BOM RFQ
Part B

IRFB38N20DPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6086 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3607PBF IRFB38N20DPBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 91 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 2900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
Compare RFQ