IRFB4227PBF vs IRFB4410ZPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB4227PBF và IRFB4410ZPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4227PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3207 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRFB4410ZPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6749 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB4227PBF IRFB4410ZPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc) 97A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 24mOhm @ 46A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 4820 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ