IRFP460APBF vs IRFP4229PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFP4229PBF và IRFP460APBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFP4229PBF

+BOM

2338 PCS | Máy chỉnh sửa quốc tế
IRFP460APBF

+BOM

3680 PCS | Sản phẩm Vishay Siliconix
Gói TO-247-3 TO-247-3
Mô tả IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 44A (Tc) 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 46mOhm @ 26A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 110 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4560 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 310W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFP4229PBF IRFP460APBF

+BOM RFQ