IRFP4668PBF vs IRFP460APBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFP4668PBF và IRFP460APBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4668PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6039 PCS
Package
TO-247
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

IRFP460APBF

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
3680 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4668PBF IRFP460APBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130A (Tc) 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 241 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10720 pF @ 50 V 3100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole