IRFP4768PBF vs IRFP450PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFP4768PBF và IRFP450PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7193 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
Part B

IRFP450PBF

Vishay

Lifecycle
Active
Stock
6703 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4768PBF IRFP450PBF
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -