IRFR5505TRPBF vs IRFR5410PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFR5505TRPBF và IRFR5410PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFR5505TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3395 PCS
Package
TO-252-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

IRFR5410PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7061 PCS
Package
TO-252-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFR5505TRPBF IRFR5410PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) 13A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 110mOhm @ 9.6A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 57W (Tc) 66W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount