IRG4PH50UDPBF vs IRG4P254SPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRG4PH50UDPBF và IRG4P254SPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PH50UDPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6128 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRG4P254SPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
4025 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PH50UDPBF IRG4P254SPBF
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 250 V
Current - Collector(Ic)(Max) 45 A 98 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 196 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3.7V @ 15V, 24A 1.5V @ 15V, 55A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 380µJ (on), 3.5mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 200 nC
Td(on / off) @ 25°C 47ns/110ns 40ns/270ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V 200V, 55A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns -
Compare RFQ