IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

Bảng so sánh chi tiết giữa IRGP35B60PDPBF và IRGP35B60PD-EP cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
3801 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRGP35B60PD-EP

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
2708 PCS
Package
TO-247-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PD-EP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 2.55V @ 15V, 35A
Power - Max 308 W 308 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 160 nC
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns 26ns/110ns
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ