IRS2003STRPBF vs IRS2001STRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRS2003STRPBF và IRS2001STRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRS2003STRPBF

+BOM

3055 PCS | Công nghệ Infineon
IRS2001STRPBF

+BOM

6351 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status - Not For New Designs
DigiKey Programmable - Not Verified
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply - 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 290mA, 600mA
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 70ns, 35ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - IRS2001
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 200 V
ProductStatus Not For New Designs -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 290mA, 600mA -
InputType Inverting, Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 200 V -
Rise/FallTime(Typ) 70ns, 35ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Mô hình so sánh : IRS2003STRPBF IRS2001STRPBF

+BOM RFQ