IRS2127STRPBF vs IRS2108STRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRS2127STRPBF và IRS2108STRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
SOIC 8N
Mô tả
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
High-Side
Half-Bridge
Channel Type
Single
Independent
Number of Drivers
1
2
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
12V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
290mA, 600mA
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
80ns, 40ns
100ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
