MC33171DR2G vs MC33151DR2G

Bảng so sánh chi tiết giữa MC33151DR2G và MC33171DR2G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
MC33151DR2G

+BOM

6915 PCS | onsemi
MC33171DR2G

+BOM

2683 PCS | onsemi
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A -
InputType Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 1
SlewRate - 2.1V/µs
GainBandwidthProduct - 1.8 MHz
Current-InputBias - 20 nA
Voltage-InputOffset - 2 mV
Current-Supply - 220µA
Current-Output/Channel - 27 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 44 V
Mô hình so sánh : MC33151DR2G MC33171DR2G

+BOM RFQ