MJD45H11T4 vs MJD45H11RL

Bảng so sánh chi tiết giữa MJD45H11T4 và MJD45H11RL cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

STMicroelectronics

Lifecycle: Active
Stock: 3019 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

+BOM RFQ

Part B

MJD45H11RL

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7292 PCS
Package: TO-252-3
Series: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MJD45H11T4	MJD45H11RL
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	10µA	1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	60 @ 2A, 1V
Power - Max	20 W	20 W
Frequency - Transition	-	90MHz
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	150°C (TJ)	-

Compare RFQ