MRF5812GR1 vs MRF5812GR2

Bảng so sánh chi tiết giữa MRF5812GR1 và MRF5812GR2 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

Tập đoàn Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
5446 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Part B

MRF5812GR2

Tập đoàn Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
7102 PCS
Package
SOIC-8
Series
Transistors - Bipolar (BJT) - RF

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MRF5812GR1 MRF5812GR2
Supplier - Microchip Technology
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 15V 15V
Frequency - Transition 5GHz 5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB
Power - Max 1.25W 1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max) 200mA 200mA
Mounting Type Surface Mount Surface Mount