NCP5181DR2G vs NCP5111DR2G So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa NCP5181DR2G và NCP5111DR2G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
NCP5181DR2G

+BOM

4243 PCS | onsemi
NCP5111DR2G

+BOM

2937 PCS | onsemi
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Last Time Buy Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.4A, 2.2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : NCP5181DR2G NCP5111DR2G

+BOM RFQ