SI2302CDS-T1-E3 vs SI2302ADS-T1-E3

Bảng so sánh chi tiết giữa SI2302CDS-T1-E3 và SI2302ADS-T1-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2302CDS-T1-E3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 5255 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

SI2302ADS-T1-E3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 7595 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2302CDS-T1-E3	SI2302ADS-T1-E3
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.6A (Ta)	2.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	57mOhm @ 3.6A, 4.5V	60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	850mV @ 250µA	1.2V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	5.5 nC @ 4.5 V	10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±8V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	300 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	710mW (Ta)	700mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	TrenchFET®	-

Compare RFQ