SI2302ADS-T1-E3 vs SI2304DDS-T1-GE3

Bảng so sánh chi tiết giữa SI2302ADS-T1-E3 và SI2304DDS-T1-GE3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2302ADS-T1-E3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
7595 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

SI2304DDS-T1-GE3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
5788 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2302ADS-T1-E3 SI2304DDS-T1-GE3
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.1A (Ta) 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 50µA 2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±8V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 300 pF @ 10 V 235 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - TrenchFET®
Compare RFQ