SI7463DP-T1-E3
Sản phẩm Vishay Siliconix
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2775 PCS
- Package
- PowerPAK-SO-8
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Bảng so sánh chi tiết giữa SI7463DP-T1-E3 và SI7461DP-T1-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.
Sản phẩm Vishay Siliconix
Sản phẩm Vishay Siliconix
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | SI7463DP-T1-E3 | SI7461DP-T1-E3 |
|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A (Ta) | 8.6A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 9.2mOhm @ 18.6A, 10V | 14.5mOhm @ 14.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) | 1.9W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |