STGF19NC60KD vs STGF10NC60SD

Bảng so sánh chi tiết giữa STGF19NC60KD và STGF10NC60SD cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGF19NC60KD

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
4484 PCS
Package
TO-220FP-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ
Part B

STGF10NC60SD

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
4369 PCS
Package
TO-220-3
Series
Transistors - IGBTs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGF19NC60KD STGF10NC60SD
Supplier - STMicroelectronics
Series PowerMESH™ PowerMESH™
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 16 A 10 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 75 A 25 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.75V @ 15V, 12A 1.65V @ 15V, 5A
Power - Max 32 W 25 W
Switching Energy 165µJ (on), 255µJ (off) 60µJ (on), 340µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 55 nC 18 nC
Td(on / off) @ 25°C 30ns/105ns 19ns/160ns
Test Condition 480V, 12A, 10Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 31 ns 22 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ