STP80NF55-08 vs STP80NF10

Bảng so sánh chi tiết giữa STP80NF55-08 và STP80NF10 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STP80NF55-08

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
4377 PCS
Package
TO-220-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

STP80NF10

STMicroelectronics

Lifecycle
Active
Stock
2820 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STP80NF55-08 STP80NF10
Series STripFET™ STripFET™ II
Part Status Not For New Designs Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 80A (Tc) 80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 182 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole